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    [資訊]上海微系統所發表關于集成光子應用的綜述文章 [復制鏈接]

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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發表于: 08-08
    關鍵詞: 集成光子
    近日,《應用物理評論》(Applied Physics Reviews)在線發表了中國科學院上海微系統所信息功能材料國家重點實驗室歐欣團隊撰寫的綜述文章(Silicon carbide for integrated photonics),并被編輯推薦為該期刊7月份“熱點文章”(Featured Article)。該綜述以薄膜制備到光子器件實現為主體,全方面回顧了碳化硅單晶薄膜制備及其在集成非光學、光量子學和應用物理學等領域中的發展歷程和關鍵技術,并展望了未來的發展方向與技術挑戰。   ><;l:RGK|  
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    光子集成電路(Photonic Integrated Circuit,PIC)由密集的分立集成光學元器件構成,工作時以光子為信息載體,有望解決目前信息技術領域面臨的信息傳輸帶寬和處理速度的問題。通常情況下,光子集成電路以硅作為材料平臺,但基于單一硅基光子集成電路無法同時實現光子芯片所需的各項性能,因而新平臺不斷發展如鈮酸鋰(LiNbO3)、磷化銦(InP)、氮化硅(Si3N4)、碳化硅(SiC)等材料平臺。其中,SiC集成光學因SiC具有的高折射率、寬透光窗口、高非線性系數、CMOS工藝兼容等特性成為頗具潛力的集成光子芯片發展方向。 r@*=|0(OrK  
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    光子集成電路的襯底需求高質量的薄膜材料,碳化硅光子學發展十余年以來,多種技術方案制備的碳化硅薄膜被用于光子器件的驗證,例如,外延生長、化學氣相沉積、離子束剝離與轉移、精密研磨拋光等薄膜制備方法。雖然碳化硅薄膜和光學器件的實現方法多樣,但近年來碳化硅光子學領域的進展主要基于一種被稱為絕緣體上碳化硅(SiC-on-insulator,SiCOI)的薄膜材料。SiC薄膜的晶型也有多種如3C-SiC、α-SiC、4H-SiC等,其中,只有4H晶型因最大的禁帶寬度(3.2 eV),產業界日漸成熟的6寸4H-SiC晶圓生長技術以及豐富的量子光源被廣泛研究,4H-SiCOI薄膜材料成為產業與科研界的重點關注方向。 ="3a%\  
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